AMD锐龙9000系列对高频内存的支持进一步加强,各家主板厂商推出的新一代主板也能更好的支持8000MT/s以上的内存,支持8000MT/s EXPO的内存就再次成为了玩家们选购的焦点。这次我们就一起来看一下佰维DW100 OC LAB联名款双档EXPO内存的表现。
旗舰发烧DDR5套装,10层PCB特挑ADie颗粒
佰维DW100 OC LAB联名款双档EXPO内存(OC Lab Gold Edition DW100 RGB DDR5)采用了黑金配色,和普通的DW100系列有明显的区别。它整体为黑色哑光散热装甲,以金色纹理和文字加以点缀,神秘中充满了高端感。

内存顶部则是光污染玩家喜爱的灯带,其拥有8个区域的1680万色可编程RGB灯光,具有超过10组灯效模式,能够支持华硕、技嘉、微星、华擎等主流主板厂商的灯光同步。玩家们可以充分自定义设置,打造统一的动态视觉效果。

佰维DW100 OC LAB联名款双档EXPO内存拥有10层PCB,带来更好的抗干扰性能,提供更加稳定的电气性能,为超频打下良好基础。它采用不锁电压PMIC设计,可根据玩家需求动态调节电压,带来更好的超频体验。散热装甲则采用了创新的三翅片散热设计,保证内存在高频下依旧能控制在一个合理的温度,进一步提高高频使用时的稳定性。

该内存采用了特挑的海力士A-Die颗粒,具备优秀的超频性能。它是全球首款量产上市的双档EXPO配置内存,也就是说其具备了两组EXPO认证配置,分别对应8000MT/s和6400MT/s两个档位。这条联名内存有DDR5-8000 CL34和DDR5-8000 CL36两种不同的规格供玩家选择,两者的高频EXPO配置略有不同,低频EXPO配置则保持一直,具体如下:
DDR5-8000 CL34:
8000MT/s EXPO时序CL34-46-46-108
6400MT/s EXPO时序CL28-38-38-76
DDR5-8000 CL36:
8000MT/s EXPO时序CL36-46-46-108
6400MT/s EXPO时序CL28-38-38-76
本次体验测试的是是其中高频8000MT/s CL36的版本。这样的双档EXPO让玩家使用起来更加灵活。对于AMD平台的游戏玩家来说,6400MT/s是一个甜点频率,这个内存频率下大多数玩家的AMD CPU都能使用UCLK=MCLK的同步模式,而CL28则又能很好的降低延迟,带来比较优秀的游戏性能。同时,如果玩家的的CPU体质不那么好或者主板内存支持不那么完善,无法跑到8000MT/s这种高频率下时,也能有一个不错的内存性能体验。

8000MT/s则能在一定程度上提升带宽,在部分需要高内存带宽的生产力应用中带来一些性能上的加成,不过由于在高频下只能使用UCLK=MCLK/2的异步模式,所以延迟方面通常比较吃亏。但是因为佰维DW100 OC LAB联名款双档EXPO内存在8000MT/s下的EXPO设置将CL值也降到了34/36,所以总体来看并不会比6400MT/s的设置下游戏性能差太多,而高频率对于部分需求高频率的游戏来说,也能提升一定的游戏性能。
容量方面,该内存为DDR5套条,单条16GB,套装为双条,组成16GB×2的32GB组合,足够满足游戏玩家日常使用的需要。
双档EXPO配置,低延迟高带宽全都有
我们对该内存进行了实测。因为AMD CPU I/O Die的关系,单CCD和双CCD的CPU内存性能并不一致,单CCD的CPU在读写性能上会明显落后于双CCD的CPU,所以我们分开进行了测试。另外,因为CPU体质和主板内存超频能力等原因,会对内存读写性能、延迟和超频能力有一定的影响,所以以下结果仅供参考,特别是超频测试。
测试平台:
内存:佰维DW100 OC LAB联名款双档EXPO内存
DDR5 8000MT/s CL36 16GB×2
CPU:AMD 锐龙5 9600X
AMD锐龙9 9900X
AMD 锐龙9 9950X
主板:ROG CROSSHAIR X870E HERO

我们使用AIDA64对该内存进行了读写性能的测试。首先来看看CPU为单CCD的锐龙5 9600X的表现。可以看到在默认的5600MT/s CL46下,无论是读写还是延迟的表现都比较一般。加载6400MT/s CL28的EXPO设置后,可以看到无论是读写性能还是延迟表现都有了大幅的提升,其中延迟直接降低了25%,这对延迟敏感的游戏来说提升会非常明显,所以大家拿到内存以后一定要在BIOS开启EXPO设置,不然就是花了钱却没有享受到应有的性能。不过因为主板默认小参调整等原因,加载8000MT/s的EXPO设置后相比6400MT/s EXPO设置时没有提升,还略微降低了一点。
我们也尝试了超频,在简单的设置并对小参进行调整后,内存频率可以进一步提升到8200MT/s,延迟则还能进一步降低到CL34。此时的内存读写性能有了比较明显的提升,但受限于CPU是单CCD,依旧没能跑满。延迟为66.7ns,相比6400MT/s同步模式下进一步降低。


再来看看该内存在双CCD的CPU锐龙9 9900X的下的表现(选择锐龙9 9900X是因为我们手里的这颗比锐龙9 9950X的IMC体质要好,内存超频更容易一些)。可以看到在6400MT/s的EXPO设置下,相比5600MT/s的默认设置在读写性能和延迟方面就已经有了大幅的进步,读取提升了39%,写入提升了34%,复制提升了32%,延迟降低了29%,双CCD的CPU确实能带来更好的内存性能释放。加载8000MT/s的EXPO设置后相比6400MT/s EXPO设置时表现基本一致,特别是大家关心的异步状态下的延迟表现,因为有着CL36的时序,所以和6400MT/s下几乎没有差别。
我们同样对其进行了超频和调整小参。经过简单的尝试,在提升频率的同时降低时序,该内存可以跑到8200MT/s CL34,而如果时序保持CL36不变,则可以将频率提升到8400MT/s。从测试来看,这对内存应该是可以跑到8400MT/s CL34的,但是需要更多更细致的超频调整。
超频后的读写性能得到了进一步提升。可以看到在8200MT/s时,读取和写入性能都已经超过了100000MB/s,提升非常明显。而此时的延迟则进一步降低,已经低于6400MT/s CL28了。而频率提升到8400MT/s时,相比8200MT/s在读写性能上还能再提升一点,不过不是太多,虽然此时的时序涨到了CL36,但因为频率也提升了200MT/s,所以综合下来延迟相较于8200MT/s时还低了一点。
最后我们使用锐龙9 9950X在7Zip中进行了Benchmark测试,由此来看看高频率高带宽在实际软件环境中的表现。

从测试可以看到,随着内存频率的提升,7Zip的跑分也随之提升,特别是对压缩性能的提升相对较大一些。
总结:表现优秀,兼顾高频与低延迟的双重需求
作为业界首款同时搭载8000MT/s CL36与6400 MT/s CL28双EXPO配置的旗舰发烧级内存,佰维DW100 OC LAB联名款双档EXPO内存很好的平衡了AMD平台内存的选择困境,玩家无需在低延迟和高频率高带宽中作出妥协,可以很好的实现两者兼顾。而双档EXPO设置,也能更好的适配不同玩家的平台,两档EXPO配置对于不想动手想省心的玩家来说,可以方便的选择自己想要的甜点频率,一键开启高性能表现。而10层PCB加特挑ADie颗粒,也让有动手能力的玩家能够更轻松的挑战超频极限。总的来说,该内存是发烧玩家值得关注的选择。
双档EXPO旗舰发烧内存 佰维DW100 OC LAB联名款DDR5测评
2025年10月17日 17 : 36 电脑报原创
AMD锐龙9000系列对高频内存的支持进一步加强,各家主板厂商推出的新一代主板也能更好的支持8000MT/s以上的内存,支持8000MT/s EXPO的内存就再次成为了玩家们选购的焦点。这次我们就一起来看一下佰维DW100 OC LAB联名款双档EXPO内存的表现。
旗舰发烧DDR5套装,10层PCB特挑ADie颗粒
佰维DW100 OC LAB联名款双档EXPO内存(OC Lab Gold Edition DW100 RGB DDR5)采用了黑金配色,和普通的DW100系列有明显的区别。它整体为黑色哑光散热装甲,以金色纹理和文字加以点缀,神秘中充满了高端感。
内存顶部则是光污染玩家喜爱的灯带,其拥有8个区域的1680万色可编程RGB灯光,具有超过10组灯效模式,能够支持华硕、技嘉、微星、华擎等主流主板厂商的灯光同步。玩家们可以充分自定义设置,打造统一的动态视觉效果。
佰维DW100 OC LAB联名款双档EXPO内存拥有10层PCB,带来更好的抗干扰性能,提供更加稳定的电气性能,为超频打下良好基础。它采用不锁电压PMIC设计,可根据玩家需求动态调节电压,带来更好的超频体验。散热装甲则采用了创新的三翅片散热设计,保证内存在高频下依旧能控制在一个合理的温度,进一步提高高频使用时的稳定性。
该内存采用了特挑的海力士A-Die颗粒,具备优秀的超频性能。它是全球首款量产上市的双档EXPO配置内存,也就是说其具备了两组EXPO认证配置,分别对应8000MT/s和6400MT/s两个档位。这条联名内存有DDR5-8000 CL34和DDR5-8000 CL36两种不同的规格供玩家选择,两者的高频EXPO配置略有不同,低频EXPO配置则保持一直,具体如下:
DDR5-8000 CL34:
8000MT/s EXPO时序CL34-46-46-108
6400MT/s EXPO时序CL28-38-38-76
DDR5-8000 CL36:
8000MT/s EXPO时序CL36-46-46-108
6400MT/s EXPO时序CL28-38-38-76
本次体验测试的是是其中高频8000MT/s CL36的版本。这样的双档EXPO让玩家使用起来更加灵活。对于AMD平台的游戏玩家来说,6400MT/s是一个甜点频率,这个内存频率下大多数玩家的AMD CPU都能使用UCLK=MCLK的同步模式,而CL28则又能很好的降低延迟,带来比较优秀的游戏性能。同时,如果玩家的的CPU体质不那么好或者主板内存支持不那么完善,无法跑到8000MT/s这种高频率下时,也能有一个不错的内存性能体验。
8000MT/s则能在一定程度上提升带宽,在部分需要高内存带宽的生产力应用中带来一些性能上的加成,不过由于在高频下只能使用UCLK=MCLK/2的异步模式,所以延迟方面通常比较吃亏。但是因为佰维DW100 OC LAB联名款双档EXPO内存在8000MT/s下的EXPO设置将CL值也降到了34/36,所以总体来看并不会比6400MT/s的设置下游戏性能差太多,而高频率对于部分需求高频率的游戏来说,也能提升一定的游戏性能。
容量方面,该内存为DDR5套条,单条16GB,套装为双条,组成16GB×2的32GB组合,足够满足游戏玩家日常使用的需要。
双档EXPO配置,低延迟高带宽全都有
我们对该内存进行了实测。因为AMD CPU I/O Die的关系,单CCD和双CCD的CPU内存性能并不一致,单CCD的CPU在读写性能上会明显落后于双CCD的CPU,所以我们分开进行了测试。另外,因为CPU体质和主板内存超频能力等原因,会对内存读写性能、延迟和超频能力有一定的影响,所以以下结果仅供参考,特别是超频测试。
测试平台:
内存:佰维DW100 OC LAB联名款双档EXPO内存
DDR5 8000MT/s CL36 16GB×2
CPU:AMD 锐龙5 9600X
AMD锐龙9 9900X
AMD 锐龙9 9950X
主板:ROG CROSSHAIR X870E HERO
我们使用AIDA64对该内存进行了读写性能的测试。首先来看看CPU为单CCD的锐龙5 9600X的表现。可以看到在默认的5600MT/s CL46下,无论是读写还是延迟的表现都比较一般。加载6400MT/s CL28的EXPO设置后,可以看到无论是读写性能还是延迟表现都有了大幅的提升,其中延迟直接降低了25%,这对延迟敏感的游戏来说提升会非常明显,所以大家拿到内存以后一定要在BIOS开启EXPO设置,不然就是花了钱却没有享受到应有的性能。不过因为主板默认小参调整等原因,加载8000MT/s的EXPO设置后相比6400MT/s EXPO设置时没有提升,还略微降低了一点。
我们也尝试了超频,在简单的设置并对小参进行调整后,内存频率可以进一步提升到8200MT/s,延迟则还能进一步降低到CL34。此时的内存读写性能有了比较明显的提升,但受限于CPU是单CCD,依旧没能跑满。延迟为66.7ns,相比6400MT/s同步模式下进一步降低。
再来看看该内存在双CCD的CPU锐龙9 9900X的下的表现(选择锐龙9 9900X是因为我们手里的这颗比锐龙9 9950X的IMC体质要好,内存超频更容易一些)。可以看到在6400MT/s的EXPO设置下,相比5600MT/s的默认设置在读写性能和延迟方面就已经有了大幅的进步,读取提升了39%,写入提升了34%,复制提升了32%,延迟降低了29%,双CCD的CPU确实能带来更好的内存性能释放。加载8000MT/s的EXPO设置后相比6400MT/s EXPO设置时表现基本一致,特别是大家关心的异步状态下的延迟表现,因为有着CL36的时序,所以和6400MT/s下几乎没有差别。
我们同样对其进行了超频和调整小参。经过简单的尝试,在提升频率的同时降低时序,该内存可以跑到8200MT/s CL34,而如果时序保持CL36不变,则可以将频率提升到8400MT/s。从测试来看,这对内存应该是可以跑到8400MT/s CL34的,但是需要更多更细致的超频调整。
超频后的读写性能得到了进一步提升。可以看到在8200MT/s时,读取和写入性能都已经超过了100000MB/s,提升非常明显。而此时的延迟则进一步降低,已经低于6400MT/s CL28了。而频率提升到8400MT/s时,相比8200MT/s在读写性能上还能再提升一点,不过不是太多,虽然此时的时序涨到了CL36,但因为频率也提升了200MT/s,所以综合下来延迟相较于8200MT/s时还低了一点。
最后我们使用锐龙9 9950X在7Zip中进行了Benchmark测试,由此来看看高频率高带宽在实际软件环境中的表现。
从测试可以看到,随着内存频率的提升,7Zip的跑分也随之提升,特别是对压缩性能的提升相对较大一些。
总结:表现优秀,兼顾高频与低延迟的双重需求
作为业界首款同时搭载8000MT/s CL36与6400 MT/s CL28双EXPO配置的旗舰发烧级内存,佰维DW100 OC LAB联名款双档EXPO内存很好的平衡了AMD平台内存的选择困境,玩家无需在低延迟和高频率高带宽中作出妥协,可以很好的实现两者兼顾。而双档EXPO设置,也能更好的适配不同玩家的平台,两档EXPO配置对于不想动手想省心的玩家来说,可以方便的选择自己想要的甜点频率,一键开启高性能表现。而10层PCB加特挑ADie颗粒,也让有动手能力的玩家能够更轻松的挑战超频极限。总的来说,该内存是发烧玩家值得关注的选择。
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